时间：2025/7/24 9:24:13
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IXFA5N50P3 是由 IXYS 公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高电压的开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具备优异的导通和开关性能，适用于各种电力电子设备，如电源转换器、电机驱动器、照明系统和工业自动化设备。IXFA5N50P3 属于N沟道增强型MOSFET，具有高耐压能力，额定电压为500V，最大连续漏极电流为4.5A。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：4.5A（连续）
最大功耗(Pd)：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.5Ω
输入电容(Ciss)：典型值为260pF
开关延迟时间：典型值为10ns（开启）、30ns（关闭）
IXFA5N50P3 具备多项优异的电气和热性能，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于高电压系统的开关控制。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
IXFA5N50P3 采用TO-263封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度条件下稳定运行。其封装设计适用于表面贴装工艺，便于在PCB板上安装，提高了生产效率和可靠性。该器件的热阻（Rth）较低，确保在高电流工作时仍能维持较低的温度上升，延长使用寿命。
另外，该MOSFET具有良好的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下提供一定的安全裕度，防止器件损坏。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，增加了系统的灵活性。
IXFA5N50P3 广泛应用于各种高电压、高功率的电力电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于DC-DC转换器或AC-DC整流器的开关元件，提供高效、稳定的能量转换。在电机控制应用中，该器件可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的精确控制。此外，IXFA5N50P3 也适用于LED照明系统中的恒流驱动电路，确保光源的稳定性和长寿命。
工业自动化设备如PLC（可编程逻辑控制器）和变频器中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和其他执行器的开关操作。在太阳能逆变器和风力发电系统中，IXFA5N50P3 可用于直流侧的开关控制，提升系统的能量转换效率。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也被广泛应用于电动汽车充电器、电池管理系统和储能系统中。
IXFA5N50P3-T, STP5NK50Z, FQA4N50C, IRFBF5N50APBF
