时间：2025/8/5 17:52:16
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IXFA5N100P-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的高电压 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率开关应用。这款 MOSFET 设计用于工业、电源管理和电机控制等高功率环境，具备高耐压能力和较低的导通电阻。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1000 V
最大漏极电流（Id）：5 A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.5 Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V 至 4.0 V
最大功耗（Ptot）：60 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
IXFA5N100P-TRL 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压额定值达到 1000 V，使其适用于高压电源转换器和电机驱动器等应用。该器件采用先进的平面技术，提供更高的效率和更低的导通损耗。
其导通电阻（Rds(on)）的典型值为 2.5 Ω，这在高压 MOSFET 中属于较低水平，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 2.1 V 至 4.0 V，允许使用较低电压的控制电路来驱动，从而简化设计并降低功耗。
该器件的封装形式为 TO-263，是一种表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并提供良好的热性能。TO-263 封装还具有良好的散热能力，有助于在高电流工作条件下保持稳定性能。
IXFA5N100P-TRL 的最大功耗为 60 W，能够在高温环境下运行，并且具备良好的热稳定性和可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业环境和恶劣条件。
IXFA5N100P-TRL 主要应用于高压电源系统，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机控制和变频器等领域。由于其高电压额定值和较低的导通电阻，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的开关电源设计。
该器件也广泛用于工业自动化系统、照明控制系统以及电力电子设备中，作为高压开关元件使用。其表面贴装封装形式适合自动化装配流程，提高了生产效率和产品的一致性。
此外，IXFA5N100P-TRL 还可用于高压电机驱动器，如交流伺服电机、步进电机等控制电路中，提供高效的功率控制和良好的动态响应性能。
IXFH5N100P, IXFN5N100P
