型号：IXFA4N100Q
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：4.0 A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：16 A
　　功耗（PD）：200 W
　　导通电阻（RDS(on) max）：1.7 Ω（@ VGS = 10 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ VDS = 800 V）
　　输出电容（Coss）：130 pF
　　反向恢复时间（trr）：65 ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.6 V（@ IS = 4 A）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

IXFA4N100Q采用英飞凌独有的Superjunction（超级结）MOSFET技术，通过交替排列的P型和N型柱状结构，大幅优化了器件的电场分布，从而在保持1000V高击穿电压的同时，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）。这种结构突破了传统MOSFET的“硅极限”，使得器件在高电压应用中仍能保持出色的导通性能，显著降低了传导损耗，提升了整体系统效率。该器件在满载和轻载条件下均表现出优异的能效特性，特别适用于对能源效率要求严苛的绿色电源设计。
　　该MOSFET具备快速开关能力，输入和输出电容较小，栅极电荷（Qg）低，有助于减少开关损耗，提高工作频率，进而缩小外围无源元件（如电感和电容）的体积，有利于实现紧凑型高功率密度电源设计。同时，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 65 ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性和稳定性。
　　IXFA4N100Q的TO-263封装具有优良的热传导性能，可通过PCB散热焊盘将热量高效传导至电路板，支持长时间高负载运行。该封装还具备较强的机械强度和抗热循环能力，适用于工业级严苛环境。器件内部经过优化设计，具有良好的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。此外，其栅极结构经过特殊处理，可承受±30V的栅源电压，提高了抗静电（ESD）和过压能力，降低了因误操作或瞬态电压导致损坏的风险。
　　该器件符合RoHS和REACH环保标准，不含铅和有害物质，适用于全球市场的各类工业与消费类电子产品。其高度集成的特性减少了外围元件数量，简化了电路设计，缩短了产品开发周期。总体而言，IXFA4N100Q凭借其高性能、高可靠性和易用性，成为高压电源系统中的理想选择。

IXFA4N100Q广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。常见用途包括工业用开关电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，适用于通信电源、服务器电源和医疗设备电源等对效率和可靠性要求较高的场合。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换级，利用其低导通损耗和快速开关特性提升逆变效率，最大化太阳能发电系统的能量利用率。
　　此外，IXFA4N100Q也适用于不间断电源（UPS）系统，用于实现市电与电池之间的高效切换和能量转换，保障关键设备的持续供电。在电机驱动应用中，尤其是中小功率的交流或直流电机控制电路中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构，提供精确的功率控制和快速响应能力。
　　在高电压LED照明驱动电源中，IXFA4N100Q可用于有源PFC（功率因数校正）电路或主变换器级，帮助实现高功率因数和低谐波失真，满足能源法规要求。其高耐压特性也使其适用于某些特种电源，如激光电源、X射线发生器和静电除尘设备等需要千伏级耐压能力的场景。由于其表面贴装封装形式，便于自动化生产，适合大规模制造应用。

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　　 "IXFH4N100Q",
　　 "IXFN4N100Q",
　　 "STP4NB100",
　　 "FQP10N100"
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