型号：DURD560A
　　制造商：Diodes Incorporated
　　二极管类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极（Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大平均整流电流（IO）：500mA（每二极管）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1.5A
　　正向电压（VF）：典型值0.48V @ 150mA，最大值0.575V @ 150mA
　　反向漏电流（IR）：最大值0.5μA @ 25°C，最大值50μA @ 100°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值<1ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

DURD560A的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒技术。与传统硅PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，避免了少数载流子的存储效应，从而实现了更快的开关速度和更低的导通损耗。在典型工作条件下，当通过150mA电流时，其正向压降仅为0.48V左右，最高不超过0.575V，这一性能使其在电池供电设备和高效DC-DC转换器中表现出色，有助于延长电池寿命并减少散热需求。
　　另一个重要特性是其超快的反向恢复时间（trr），通常小于1纳秒。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储电荷的问题，因此在高频开关应用中几乎不会产生反向恢复电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，并提升了整体系统的稳定性。这对于工作频率较高的开关电源、同步整流电路和高频整流场合尤为重要。
　　DURD560A还具备良好的热性能和可靠性。尽管其封装尺寸小（SOT-23），但在适当的PCB布局和散热设计下，仍可支持持续500mA的整流电流。其工作结温可达+125°C，满足大多数工业和消费类应用的环境要求。此外，该器件具有较低的反向漏电流，在常温下最大仅为0.5μA，即使在高温环境下（如100°C）也控制在50μA以内，确保在待机或低功耗模式下的泄漏损耗最小化。
　　该器件的共阴极内部配置使其非常适合用于双路正向电压箝位、双通道续流或双输入电源选择等应用场景。同时，SOT-23封装便于自动化贴片生产，提高了制造效率，并节省PCB空间。DURD560A符合AEC-Q101车规可靠性标准的可能性较小，主要用于非汽车类应用，但其稳定的电气性能和坚固的结构设计仍能胜任多种严苛工作条件。

DURD560A广泛应用于需要高效、小型化和高频响应的电子电路中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用作电池充放电路径中的防反接保护二极管，利用其低VF特性减少能量损耗，提升续航能力。在电源管理系统中，该器件可用于LDO稳压器或DC-DC转换器的输出端，作为防止倒灌电流的隔离二极管，或在同步整流拓扑中充当续流二极管，以降低传导损耗。
　　在通信和网络设备中，DURD560A可用于信号路径的瞬态电压抑制和静电放电（ESD）保护，尤其是在低电压数据线路中提供可靠的钳位功能。其快速响应能力和低寄生参数使其适用于高速信号线的保护电路。此外，在LED驱动电路中，它可以作为防止反向电压损坏LED的保护元件，尤其适用于多路LED背光或指示灯控制模块。
　　在工业控制和自动化系统中，DURD560A可用于传感器接口电路中的电平隔离和噪声抑制，也可用于继电器或电感负载的续流路径，吸收关断时产生的反电动势，保护控制芯片免受电压冲击。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件也适用于嵌入式控制器、电源适配器、USB充电端口以及各类小型开关电源模块中。总之，凡是在空间受限且对效率有较高要求的双通道整流或保护应用中，DURD560A都是一个理想的选择。

BAT54C
　　BAS40-04
　　RB751S-40
　　DMDC15H400L