时间：2025/8/6 4:49:15
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IXFA36N20X3是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，适用于广泛的工业和汽车电子系统。IXFA36N20X3采用了先进的技术，确保了在高频率和高温条件下的可靠运行。其主要特点是具有低导通电阻、高电流容量以及卓越的热稳定性，使其成为电源转换、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：36A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为27mΩ（在VGS=10V时）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
功率耗散：125W
热阻（RthJC）：1.0°C/W
IXFA36N20X3具备多项显著特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的高电流容量和耐压能力使其适用于大功率负载管理。器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能，减少了开关损耗。
其次，IXFA36N20X3具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下持续运行。其封装设计（TO-263）支持高效的热管理和表面贴装工艺，简化了PCB布局和散热设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广，兼容多种驱动电路设计，提高了系统的灵活性。
另外，该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，增强了在突发负载变化情况下的可靠性。其结构设计减少了寄生电感和电容，有助于提升开关速度并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使得IXFA36N20X3在高性能电源转换和电机控制应用中表现卓越。
IXFA36N20X3广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于以下领域：电源管理（如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）、电机驱动器（如无刷直流电机控制、伺服驱动系统）、汽车电子（如电池管理系统、车载充电器）、工业自动化（如PLC和伺服控制器）、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。其优异的性能和可靠性使其成为需要高效率、高稳定性和紧凑设计的现代电子设备的理想选择。
IRF3710, STP36NF20, FDP36N20
