类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：34A（Tc=25°C）
　　漏极电流峰值（IDM）：136A
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V 至 4.0V（在 ID=250μA 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）

IXFA34N65X2-TRL 是一款高性能的功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。其 650V 的漏源击穿电压使其适用于中高压功率转换系统，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和马达驱动器。
　　该器件的高电流能力（34A）确保它可以在高功率密度设计中使用，同时其 D2Pak 封装提供了良好的热管理性能。MOSFET 的栅极阈值电压较低，允许使用标准的 10V 驱动器来控制，同时确保快速开关，从而减少开关损耗。
　　此外，IXFA34N65X2-TRL 采用了先进的技术制造，具备良好的短路耐受能力，并能在高温环境下稳定运行。这种 MOSFET 还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于提高开关速度并减少高频应用中的动态损耗。

IXFA34N65X2-TRL 常用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
　　- AC-DC 和 DC-DC 功率因数校正（PFC）电路
　　- 工业电机控制和变频器
　　- 逆变器（如太阳能逆变器和UPS系统）
　　- 高压电源和开关电源（SMPS）
　　- 电池充电器和能量存储系统
　　- 电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的功率管理模块
　　该 MOSFET 的高效率和可靠性使其成为工业、消费类电子以及汽车应用中的理想选择。

IXFN34N65X2、IXFH34N65X2、STF34N65DM2、SiHPX34N65CF