时间：2025/12/26 20:34:32
阅读：21
IXEH25N120是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高耐压和高效率转换的电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有优异的开关性能和导通特性，适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、逆变器、开关模式电源（SMPS）以及感应加热等高压应用场合。其额定电压为1200V，连续漏极电流可达25A（在特定条件下），能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，具备良好的热稳定性和可靠性。IXEH25N120通常封装在TO-247或类似的高功率封装中，确保良好的散热性能，并支持快速安装于散热器上以提升整体系统效率。此外，该器件还具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少驱动损耗并提高高频工作下的能效表现。由于其高耐压能力和较强的鲁棒性，IXEH25N120常被用于替代传统的IGBT器件，在某些应用中实现更高的开关速度和更低的传导损耗。
型号：IXEH25N120
晶体管类型：MOSFET N-Channel
漏源电压（Vds）：1200 V
连续漏极电流（Id）：25 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：100 A
功耗（Pd）：300 W
导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（最大值，Vgs=15V）
阈值电压（Vgs(th)）：4.0 ~ 6.0 V
栅极-源极电压（Vgs）：±25 V
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +150 °C
输入电容（Ciss）：3300 pF（典型值，Vds=25V）
输出电容（Coss）：490 pF（典型值，Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管恢复问题）
封装形式：TO-247
IXEH25N120具备卓越的高压阻断能力，能够在1200V的漏源电压下稳定运行，适合高压直流母线应用。其设计基于优化的平面工艺技术，使得器件在高电压环境下仍能保持较低的导通电阻，从而有效降低导通损耗，提升系统整体效率。该MOSFET具有良好的热稳定性，结温可达150°C，能够在高温工业环境中长期可靠运行。同时，其低栅极电荷（Qg）特性显著减少了开关过程中的驱动能量需求，使器件更适合高频开关应用，如高频DC-DC变换器或谐振拓扑结构。此外，该器件的输入电容和反馈电容较小，有助于抑制米勒效应引起的误触发，提高电路的抗干扰能力。
另一个关键优势是其出色的动态性能，尤其在硬开关条件下表现出较小的开关损耗。虽然该器件不具备快速体二极管，但在许多应用中可通过外接快恢复二极管或使用互补拓扑来弥补这一限制。TO-247封装提供了优良的热传导路径，允许通过外部散热器高效地将热量排出，确保长时间高负载运行下的稳定性。此外，该器件对雪崩能量有一定的耐受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其坚固的结构设计也使其能够承受较高的dv/dt和di/dt应力，适用于复杂的电磁环境。总体而言，IXEH25N120凭借其高耐压、大电流承载能力和优良的开关特性，成为高压功率转换系统中的理想选择之一。
IXEH25N120主要应用于各类高电压、高效率的电力电子设备中。它常见于工业级开关电源系统，特别是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关元件，用于实现高效的能量转换。在太阳能逆变器中，该器件可用于直流侧的斩波或升压环节，处理来自光伏阵列的高压直流电，并通过PWM控制实现最大功率点跟踪（MPPT）。在不间断电源（UPS）系统中，IXEH25N120可作为逆变桥臂的一部分，承担将电池直流电转换为交流输出的任务，其快速开关能力有助于生成高质量的正弦波输出。
此外，该器件也被广泛用于电机驱动领域，尤其是在中高压交流伺服驱动器或变频器中，用于控制三相电机的速度与转矩。在感应加热设备中，如电磁炉或工业加热装置，IXEH25N120可用于构建串联或并联谐振逆变电路，提供高频交变电流以激发感应线圈产生涡流加热。由于其具备较高的电压裕量和良好的热性能，该器件同样适用于高压照明电源、X射线发生器电源模块以及电焊机等特种电源设备。总之，凡是需要1200V级别耐压且要求较高效率和可靠性的应用场景，IXEH25N120都是一个值得考虑的核心功率开关器件。
IXFK25N120
IXTH25N120
STGF25NC120
FQA25N120
