您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXDS430SI

IXDS430SI 发布时间 时间:2024/9/25 10:48:46 查看 阅读:461

参数

制造商:IXYS
  类型:Low Side
  上升时间:20 ns
  下降时间:18 ns
  传播延迟时间:45 ns
  电源电压(最大值):35 V
  电源电压(最小值):8.5 V
  电源电流:3 mA
  最大关闭延迟时间:39 ns
  最大开启延迟时间:45 ns
  安装风格:SMD/SMT
  激励器数量:1
  输出端数量:1
  输出电流:30 A(Typ)

封装参数

封装/箱体:SOIC-28
  封装:Box

物理参数

最大工作温度:+125 C
  最小工作温度:-55 C

IXDS430SI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXDS430SI资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXDS430SI参数

  • 标准包装27
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相和非反相
  • 延迟时间41ns
  • 电流 - 峰30A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压8.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装28-SOIC
  • 包装