型号：IXDP20N60BD1
　　制造商：Infineon Technologies
　　系列：CoolMOS? C6
　　封装类型：TO-263 (D2PAK)
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：600V
　　连续漏极电流(ID)@25℃：20A
　　连续漏极电流(ID)@100℃：13.8A
　　导通电阻(RDS(on))@最大值：0.195Ω
　　导通电阻(RDS(on))@典型值：0.175Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：3V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ 100V VDS
　　输出电容(Coss)：180pF @ 100V VDS
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　栅极电荷(Qg)@10V VGS：92nC
　　功率耗散(PD)：200W
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　安装类型：表面贴装(SMD)

IXDP20N60BD1基于英飞凌第六代CoolMOS?技术平台，采用独特的超级结（Superjunction）架构，实现了在600V耐压等级下的超低导通电阻与优异的开关性能之间的最佳平衡。这种结构通过交替排列的P型和N型掺杂柱实现电荷平衡，大幅减小了漂移区电阻，从而显著降低RDS(on)，提升器件效率。相比传统平面型或早期超级结MOSFET，该器件在相同芯片面积下可提供更高的电流能力和更低的能量损耗，尤其在满载和轻载条件下均表现出卓越的能效表现。
　　该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动电路所需功耗更小，有利于提高系统整体效率并简化驱动设计。同时，其输出电容（Coss）也经过优化，减少了关断过程中的能量损失，提升了高频工作下的热稳定性。集成的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），有效抑制了二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的可靠性和抗扰能力。
　　在热性能方面，TO-263封装结合高效的内部连接工艺，确保了良好的热传导路径，使器件能够在高达200W的功率耗散下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于严苛的工业和户外环境。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备高抗雪崩能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。得益于其高度集成的设计和成熟的制造工艺，IXDP20N60BD1在批量生产和长期使用中表现出优异的一致性和可靠性。

IXDP20N60BD1广泛应用于各类高效率、高功率密度的开关电源系统中。典型应用场景包括：通信电源中的AC-DC整流模块，如基站电源和数据中心服务器电源，这类系统对能效和散热管理有极高要求；工业用大功率开关电源（SMPS），特别是在需要持续高负载运行的设备中，该器件能够有效降低温升并提升系统寿命；光伏（PV）逆变器中的DC-AC转换级，利用其低导通损耗和快速开关特性，提高太阳能发电系统的转换效率；此外，它还适用于高端LED照明驱动电源，尤其是在需要长寿命和高稳定性的户外照明或商业照明项目中。
　　在消费类高功率适配器（如笔记本电脑快充、电动工具充电器）中，IXDP20N60BD1可用于PFC（功率因数校正）升压级或主功率变换级，帮助满足能源之星等能效规范。同时，该器件也可用于UPS（不间断电源）、焊接设备和电机驱动中的辅助电源部分。由于其具备良好的动态响应特性和稳定的电气参数，适合用于各种硬开关拓扑结构，如连续导通模式（CCM）PFC、双管正激、全桥LLC谐振变换器等。在这些应用中，IXDP20N60BD1不仅能提升转换效率，还能减小散热器尺寸，进而缩小整机体积，实现更高程度的系统集成化与小型化。

IPP60R190C6
　　IPA60R190C6
　　STL20N60M5
　　FCH20N60NF