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IXDN604S 发布时间 时间:2025/8/6 0:18:35 查看 阅读:21

IXDN604S 是一款由 IXYS 公司制造的高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路,专为驱动功率半导体器件而设计。该芯片采用高速缓冲器架构,能够提供高输出电流,以快速驱动功率 MOSFET 或 IGBT。IXDN604S 通常用于开关电源、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等应用。该器件封装为 8 引脚 DIP 或 SOP 封装,具备宽工作电压范围和高抗干扰能力。

参数

电源电压范围:10V 至 20V
  输出峰值电流:±4.0A
  传播延迟时间:17ns(典型值)
  上升时间:12ns(典型值)
  下降时间:10ns(典型值)
  输入阈值电压:2.0V 至 5.0V 兼容
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

IXDN604S 是一款专为高速功率器件驱动而设计的集成驱动器芯片。其主要特性包括高达 ±4.0A 的输出峰值电流,可有效降低功率器件的开关损耗。该芯片内部集成了高速缓冲器,使其能够驱动高栅极电荷的功率 MOSFET 和 IGBT。此外,IXDN604S 的传播延迟时间非常短,典型值为 17ns,同时具备快速的上升和下降时间,分别为 12ns 和 10ns,确保了高效的高频开关操作。
  该芯片支持 10V 至 20V 的宽电源电压范围,适用于多种功率应用场合。输入部分支持 2.0V 至 5.0V 的逻辑电平,兼容多种控制器输出,如 DSP、FPGA 或 MCU。其输入端具有滞后功能,能够提高抗噪能力,避免误触发。IXDN604S 还具备高输出驱动能力,可以有效缩短开关时间,降低开关损耗,提高整体系统效率。
  在封装方面,IXDN604S 提供了标准的 8 引脚 DIP 和 SOP 封装形式,便于在各种 PCB 设计中使用。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,适用于工业级环境。由于其高可靠性与高性能,IXDN604S 广泛应用于高频电源转换、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器等场合。

应用

IXDN604S 主要用于需要高速开关驱动的功率电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制电路、UPS 系统以及太阳能逆变器等。由于其高输出电流能力和快速响应特性,IXDN604S 特别适合用于驱动高功率 MOSFET 和 IGBT 模块,以提高系统效率并减少开关损耗。此外,它也可用于工业自动化设备、电动车驱动系统和功率因数校正(PFC)电路中。

替代型号

IXDN604SI, IXDN444S, IXDN414S

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