时间：2025/9/14 22:11:14
阅读：3
BUK7880-55A/CUX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流和高效率的开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等领域。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：4.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：7.3mΩ
功率耗散（Ptot）：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK7880-55A/CUX具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻确保了在高电流应用中较低的功率损耗，从而提高了整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为4.5mΩ，在同类器件中表现优异。此外，该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，使其在相同尺寸下具备更高的电流承载能力。
该器件的连续漏极电流在25°C下可达160A，使其适用于高功率密度的设计。同时，其耐压能力达到55V，能够在中等电压范围内稳定工作。由于其封装形式为TO-263（D2PAK），散热性能优越，适合高功耗环境下的应用。
在工作温度方面，BUK7880-55A/CUX可在-55°C至175°C的宽温度范围内正常工作，特别适用于汽车电子等对温度要求较高的应用。其栅源电压范围为±20V，具有良好的抗静电能力，增强了器件的可靠性。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够减少开关损耗，并支持高频操作。其热阻（Rth）较低，有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现，从而延长器件寿命。
BUK7880-55A/CUX广泛应用于多个高功率和高效率要求的领域。在汽车电子系统中，它常用于电机驱动、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）。其高电流承载能力和优异的热性能使其在电动汽车和混合动力汽车中尤为适用。
在工业控制领域，该器件用于高功率开关电源（SMPS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其快速开关特性和低导通电阻可显著提高电源系统的效率。
此外，BUK7880-55A/CUX还适用于电信设备和服务器电源系统，特别是在需要高效率和高可靠性的数据中心应用中。其宽温度范围和坚固的封装结构使其能够在恶劣环境中稳定运行。
IRF1404ZPBF, STP150N5FZ, SiS441DN, BSC080N03MS
