您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXDI504SIA

IXDI504SIA 发布时间 时间:2025/8/6 10:04:15 查看 阅读:9

IXDI504SIA 是一款由 Littelfuse(原 IXYS Integrated Circuits Division)生产的高性能双通道高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片专为工业电机控制、电源转换、逆变器以及高功率开关应用而设计,具有较强的驱动能力和可靠性。IXDI504SIA 采用半桥结构,支持高侧和低侧独立控制,适用于需要快速开关和高耐压能力的功率电子系统。

参数

封装类型:SOIC-16
  工作电压范围:10V - 20V
  最大输出电流:±4.0A(峰值)
  传播延迟:典型值15ns
  输入逻辑兼容:3.3V / 5V / 15V
  最大工作温度:-40°C 至 +125°C
  驱动能力:适用于MOSFET和IGBT
  高侧浮动电压:最高可达600V
  输入信号隔离电压:5000Vrms(绝缘等级)

特性

IXDI504SIA 具备出色的性能和稳定特性,特别适用于高要求的功率驱动场合。其双通道驱动结构允许独立控制高侧和低侧功率开关,提高了系统设计的灵活性。芯片内部集成了高速驱动器,确保开关时间短,从而降低开关损耗并提高系统效率。该器件支持高达±4A的峰值输出电流,能够有效驱动大功率MOSFET和IGBT模块。此外,IXDI504SIA具备较强的抗干扰能力,能够承受较高的dv/dt噪声,确保在恶劣电磁环境下依然稳定运行。其输入信号兼容3.3V、5V及15V逻辑电平,便于与各种控制器连接。芯片还具备过热保护和欠压锁定(UVLO)功能,进一步增强系统的可靠性。
  在封装方面,IXDI504SIA采用标准的SOIC-16封装,便于PCB布局并具有良好的热管理性能。其高侧浮动电压能力最高可达600V,适用于中高功率电源转换系统,如变频器、UPS、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。该器件的短传播延迟(约15ns)和快速上升/下降时间,使其在高频开关应用中表现出色,有助于提升系统响应速度和动态性能。

应用

IXDI504SIA 被广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于工业电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备、智能电网设备以及工业自动化控制系统。其高驱动能力、快速响应和良好的抗干扰性能,使其成为高性能功率转换和控制应用的理想选择。

替代型号

IXDI604SI、IXDI414SIA、TC4420、LM5114

IXDI504SIA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXDI504SIA参数

  • 标准包装94
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相
  • 延迟时间19ns
  • 电流 - 峰4A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 30 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装管件