IXDI414CI是一款由IXYS公司推出的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路,广泛用于电源转换、电机控制以及功率放大等应用中。该芯片设计用于提供高驱动能力和快速响应,以确保在高频开关环境下稳定工作。IXDI414CI采用双通道结构,每个通道均具备独立的输入和输出控制,支持非对称输出驱动能力,使其适用于多种拓扑结构,如半桥、全桥和推挽式电路。
供电电压:10V至20V
输出电流峰值:+4A / -6A(典型值)
传播延迟:30ns(典型值)
输入逻辑电平兼容:3.3V、5V、15V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:16引脚SOIC
驱动能力:高边和低边独立驱动
输出电压摆幅:从VSS到VDD
上升/下降时间:5ns(典型值)
IXDI414CI具备多项高性能特性,首先其高速传输特性使其非常适合高频开关应用,30ns的传播延迟确保了精确的时序控制。其次,该器件采用非对称输出驱动能力设计,上拉电流为4A,下拉电流为6A,这种设计可以更好地控制开关过程中的导通和关断速度,减少开关损耗。此外,IXDI414CI具有宽输入电压范围,支持3.3V、5V和15V逻辑电平输入,增强了与各种控制器的兼容性。其10V至20V的供电电压范围也使其能够适应不同的电源配置,提高了系统的灵活性。
该芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于安全阈值时,输出将被自动关闭,防止在不安全电压下工作。IXDI414CI还具有高抗噪能力,能够在恶劣电磁环境下保持稳定运行。采用16引脚SOIC封装,便于PCB布局并具有良好的热性能,适用于紧凑型设计。
IXDI414CI广泛应用于需要高速功率开关驱动的场合,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、焊接设备以及高频逆变器等。由于其高驱动能力和良好的热稳定性,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子系统。
IXDI414SI, TC4420, LM5114, IRS2186