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IXDF602SIATR 发布时间 时间:2025/8/6 10:33:47 查看 阅读:14

IXDF602SIATR是一款由IXYS公司生产的双路栅极驱动器集成电路,专为驱动MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该器件采用SOIC-8封装,适用于各种电源转换和电机控制应用。

参数

供电电压:10V至30V
  输出电流:±4.0A(峰值)
  传播延迟:110ns(典型值)
  上升/下降时间:20ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  输入逻辑兼容性:3.3V和5V逻辑电平兼容
  封装类型:SOIC-8

特性

IXDF602SIATR具有双路独立的栅极驱动通道,能够提供高达±4A的峰值输出电流,确保功率器件快速、可靠的开关操作。其低传播延迟和快速上升/下降时间特性使其适用于高频开关应用,提高了系统效率。此外,该芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,以防止在供电电压不足时误操作,从而提高系统稳定性。IXDF602SIATR还具备高抗干扰能力,确保在恶劣的电磁环境中稳定工作。由于其3.3V和5V输入逻辑兼容性,该器件能够轻松连接多种微控制器和逻辑电路,提升了设计的灵活性。
  该驱动器采用紧凑的SOIC-8封装,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。同时,其宽广的工作温度范围使其能够在各种环境条件下可靠运行,包括工业和汽车应用。IXDF602SIATR的设计兼顾了高性能与高可靠性,是开关电源、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等应用的理想选择。

应用

该器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、光伏逆变器以及工业自动化设备中,用于高效驱动MOSFET和IGBT器件。

替代型号

TC4420VPA, HIP4080IBZ, LM5114MM

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IXDF602SIATR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相和非反相
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰2A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)