时间：2025/12/28 13:49:28
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USD2045ACT是一款由UTC（Unisonic Technologies）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等电路中。该器件采用先进的高压制程技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率、高频开关应用。
类型：功率MOSFET
沟道类型：双N沟道
漏源电压(VDS)：20V
连续漏极电流(Id)：4.5A
导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V
栅极电压(VGS)：±12V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-26
功率耗散(PD)：2.5W
USD2045ACT采用了先进的高压制程技术，具备低导通电阻，使得在高电流条件下仍能保持较低的功耗。其双N沟道结构设计可以有效降低开关损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。SOT-26封装形式不仅节省空间，还便于散热，适用于紧凑型电路设计。
该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高负载条件下仍能保持稳定工作。其高可靠性设计使其适用于工业控制、消费电子、通信设备等多种应用场景。
USD2045ACT常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED驱动、电池管理系统以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。其优异的性能也使其适用于开关电源、适配器、USB电源管理等电路中。
Si2302DS, AO3400A, FDMS3610
