时间：2025/8/6 6:06:25
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IXDE514PI是一款由IXYS公司生产的双路高压高速驱动器集成电路，专为驱动MOSFET、IGBT和其他功率半导体器件而设计。该芯片采用了高压CMOS技术，具有高集成度、高可靠性和出色的抗干扰能力。IXDE514PI集成了两个独立的驱动通道，每个通道都具备高边和低边驱动能力，适用于半桥、全桥、推挽和同步整流等多种拓扑结构。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等领域。
类型：双路高压高速驱动器
封装类型：DIP
电源电压：10V~20V
输出电流：±1.5A（典型值）
工作温度范围：-40°C~+125°C
驱动电压范围：0V~600V
传输延迟时间：120ns（典型值）
上升/下降时间：15ns/10ns（典型值）
隔离电压：1500VRMS（最小值）
IXDE514PI采用了先进的高压CMOS技术，能够在高噪声环境下保持稳定工作。其内置的两个驱动通道分别支持高边和低边操作，适用于多种功率转换拓扑结构。该芯片的输入信号兼容CMOS和LSTTL电平，便于与各种控制器连接。此外，IXDE514PI具备欠压锁定保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出，以防止功率器件因驱动电压不足而损坏。该器件还具有高侧浮动电源供电能力，可支持高达600V的电压应用。
在可靠性方面，IXDE514PI通过了严格的工业级测试，能够在恶劣的电磁干扰环境下保持稳定工作。其高隔离电压特性确保了系统在高压环境下的安全运行。此外，该驱动器还具备低静态电流和快速响应时间的特点，有助于提高系统效率并减少能量损耗。
IXDE514PI广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-AC逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高集成度和灵活的拓扑结构适应性使其成为设计高效、高可靠功率转换系统的重要组件。该芯片特别适合需要高边浮动驱动能力的应用场合，如半桥拓扑中的上下桥臂驱动。
IXDE514PHEF, IXDE514PHE, IXDN614PI
