PFU3N80G 时间：2025/8/6 14:22:13 阅读：12

PFU3N80G 是一款由 Power Integrations（PI）公司生产的高压功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有高耐压、低导通电阻以及优异的开关性能。PFU3N80G 的设计旨在满足高效、紧凑型电源设备的需求，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制和电池充电器等。该MOSFET的额定漏源电压（VDS）为800V，连续漏极电流（ID）为3A，适用于各种中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：12A
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、DIP

特性

PFU3N80G 具备多项优异的电气和热性能，适用于各种高压电源系统。其核心特性之一是高击穿电压能力，漏源电压（VDS）可达800V，使其能够在高压环境中稳定运行，避免因电压波动而导致的损坏。
　　此外，该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，PFU3N80G 的开关速度较快，具有较低的开关损耗，这对于高频开关电源应用尤为重要，可以提升整体能效并减少发热。
　　在热管理方面，PFU3N80G 采用了高散热效率的封装设计（如TO-220），有助于将热量快速散发，从而提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至15V之间可实现完全导通，方便与多种驱动电路兼容。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障，延长使用寿命并提升系统稳定性。这些特点使得PFU3N80G非常适合用于高要求的工业和消费类电源应用。

应用

PFU3N80G 主要应用于各类中高功率电源系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、适配器、充电器、DC-DC转换器、电机控制器和家用电器电源模块。由于其高压耐受能力和良好的开关性能，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合，如工业自动化设备、智能家电和绿色能源系统。此外，PFU3N80G 也常用于功率因数校正（PFC）电路中，以提升电源的整体效率并减少电网污染。