IXDD61YI是一款高性能的MOSFET驱动器芯片,由IXYS公司生产,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种需要高效功率开关的系统中。该芯片设计用于驱动N沟道或P沟道MOSFET,提供高驱动电流能力,以确保MOSFET快速开关,从而减少开关损耗并提高系统效率。IXDD61YI采用标准的16引脚封装,具有宽输入电压范围、低传播延迟和高抗干扰能力等优点,适用于工业自动化、电源供应器、电动汽车充电系统等高要求的应用场景。
类型:MOSFET驱动器
封装类型:16引脚 SOIC
工作电压范围:10V 至 20V
输出驱动电流:±1.5A(典型值)
传播延迟:最大30ns
输入信号兼容性:TTL/CMOS
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
驱动能力:适用于N沟道和P沟道MOSFET
输出电压范围:与电源电压相关(VDD至GND)
静态电流:典型值50μA
短路保护:支持
过热保护:支持
IXDD61YI具有多项先进的性能特点,使其在功率驱动领域表现出色。首先,其±1.5A的输出驱动电流能力能够有效驱动高栅极电荷的MOSFET,确保快速开关,降低开关损耗。其次,芯片的传播延迟极低,最大仅为30ns,这有助于提高系统的响应速度和效率,适用于高频开关应用。此外,IXDD61YI具备宽广的工作电压范围(10V至20V),增强了其在不同应用中的适应性。
该芯片还内置了多种保护功能,包括短路保护和过热保护,以确保在异常工作条件下芯片不会损坏,从而提高系统的可靠性。IXDD61YI的输入信号兼容TTL和CMOS电平,简化了与控制器的接口设计。同时,其低静态电流(典型值50μA)有助于降低系统待机功耗,符合现代电子产品节能环保的要求。
IXDD61YI采用了先进的CMOS工艺制造,具备优异的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。其16引脚SOIC封装形式不仅节省空间,而且便于PCB布局和散热设计,适合高密度功率电子设备的应用。
IXDD61YI常用于需要高效驱动MOSFET的场合,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、电池充电器以及工业自动化控制系统等。此外,它也广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车的车载充电系统。
IXDD61NPI, IXDD614PI, TC4420, LM5114