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IXDD609YI 发布时间 时间:2025/7/17 21:19:12 查看 阅读:5

IXDD609YI是一款由IXYS公司生产的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。这款芯片设计用于在高频率和高功率条件下提供高效的开关控制,广泛应用于电源转换系统、电机控制以及工业自动化设备中。IXDD609YI采用了先进的高压技术,能够在极端工作环境下保持稳定性和可靠性。其封装形式为16引脚SOIC,方便在各种电路板上安装与使用。

参数

供电电压:10V至30V
  输出电流:±1.5A(峰值)
  传播延迟时间:17ns(典型值)
  输入逻辑电平兼容性:3.3V、5V及15V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  最大工作频率:150MHz
  封装类型:16引脚SOIC

特性

IXDD609YI具有多项高性能特性,使其成为许多功率电子应用中的首选驱动器芯片。首先,该器件的高输出电流能力能够快速驱动大型MOSFET和IGBT器件,从而显著减少开关损耗并提高系统效率。其次,其极低的传播延迟时间(仅17ns)确保了在高频开关应用中信号传输的精确性和同步性。
  此外,IXDD609YI具备宽输入逻辑电平兼容性,支持3.3V、5V及15V逻辑接口,使得它能够与多种控制器无缝对接,包括微处理器、DSP和FPGA等。这种灵活性大大简化了设计过程,并增强了系统的适应性。
  该芯片内置欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于安全阈值时,自动关闭输出以防止误操作或损坏功率器件。同时,其内部结构具备高抗干扰能力,在电磁干扰严重的工业环境中仍能稳定运行。
  

应用

IXDD609YI广泛应用于需要高速开关和高可靠性的电力电子系统中。例如,在DC-AC逆变器、开关电源(SMPS)、电机驱动器、UPS系统以及光伏逆变器等领域均有广泛应用。由于其优异的动态响应能力和强大的驱动性能,IXDD609YI特别适合于高频变换器和高功率密度设计。此外,该芯片还常用于测试设备、工业自动化控制系统以及电动汽车充电装置等高端应用场景。

替代型号

IXDD610PI, TC4420CPA, UCC27424PWP

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IXDD609YI参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间40ns
  • 电流 - 峰9A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件