您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXDD609SI

IXDD609SI 发布时间 时间:2025/7/22 10:57:09 查看 阅读:3

IXDD609SI 是一款由 IXYS 公司设计制造的高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器芯片,广泛应用于功率电子领域。这款芯片专为需要高效能、高速切换能力的功率半导体器件驱动而设计,能够提供高驱动电流、低传播延迟以及宽工作电压范围,适用于工业自动化、电机控制、电源转换等场景。

参数

工作电压范围:10V 至 20V
  输出峰值电流:±9.0A
  传播延迟时间:19ns(典型值)
  上升时间:7ns(典型值)
  下降时间:6ns(典型值)
  输入逻辑电平兼容:3.3V、5V、15V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-16

特性

IXDD609SI 的核心特性之一是其强大的输出驱动能力,其 ±9.0A 的峰值输出电流可有效驱动大功率 MOSFET 和 IGBT 器件,适用于高频率开关应用。该芯片采用了高速 CMOS 工艺,保证了其在高频工作条件下的稳定性和响应速度。
  此外,IXDD609SI 具有非常低的传播延迟(典型值为 19ns)以及快速的上升和下降时间(分别为 7ns 和 6ns),这些特性使其在需要精确时序控制的应用中表现出色,例如变频器、DC-DC 转换器和电机驱动器。
  该芯片还具备宽工作电压范围(10V 至 20V),使其适用于多种电源配置。其输入逻辑电平兼容 3.3V、5V 和 15V 信号源,能够与多种控制器(如 DSP、FPGA 和微控制器)无缝连接,提高了系统设计的灵活性。
  为了确保在恶劣环境下的可靠性,IXDD609SI 的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,适合工业和汽车电子应用。其 SOIC-16 封装形式提供了良好的散热性能,同时便于 PCB 布局和装配。

应用

IXDD609SI 主要用于需要高速、高电流驱动能力的功率电子系统中。典型应用包括工业电机控制、逆变器、DC-AC 功率转换、电源模块、焊接设备以及电动汽车的功率管理系统。
  在电机控制应用中,IXDD609SI 可驱动 H 桥电路中的 MOSFET 或 IGBT,实现高效、快速的电机转速和方向控制。在电源系统中,该芯片可用于同步整流、高频开关电源和负载开关控制,提高系统的整体效率和响应速度。
  此外,由于其良好的抗干扰能力和宽输入电压范围,IXDD609SI 也常用于太阳能逆变器和储能系统中,以提高能源转换效率并延长系统寿命。

替代型号

IXDD610SI, TC4420, HIP4081, IR2110

IXDD609SI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXDD609SI资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXDD609SI参数

  • 标准包装100
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间40ns
  • 电流 - 峰9A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC-EP
  • 包装管件
  • 其它名称CLA363