时间：2025/9/14 13:58:05
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BUK753R1-40E,127 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力。该型号的封装形式为TO-220，适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动等领域。BUK753R1-40E,127 设计用于在高效率和高可靠性要求的应用中提供优异的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
漏极电流（Id）：7.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
BUK753R1-40E,127 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在高功率开关应用中表现出色。其1.1Ω的导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的漏源电压为400V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入环境。该MOSFET的栅极电压范围为±20V，具有良好的栅极控制能力，确保了快速开关和稳定的运行。其高功率耗散能力（60W）使得在高负载条件下也能保持良好的热稳定性，避免过热损坏。
这款MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于各种工业应用。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种严苛的环境条件。该器件的高可靠性和稳定性使其成为电源转换、电机控制、工业自动化和照明系统等应用的理想选择。
BUK753R1-40E,127 主要用于需要高功率开关性能的应用，如电源转换器、开关电源（SMPS）、工业控制系统、电机驱动器、照明控制系统以及各种高电压高电流的应用场景。由于其高耐压和低导通电阻特性，它非常适合用于DC-DC转换器和逆变器中，以提高系统的能效。此外，该MOSFET也可用于自动化设备中的继电器替代方案，提供更快的响应时间和更长的使用寿命。
BUK753R1-40E,127 可以被类似规格的MOSFET替代，如STMicroelectronics的STP7NK40Z、Infineon Technologies的IRF740或ON Semiconductor的FQA7N40C。在选择替代型号时，应确保新器件的电气参数和封装形式与原型号兼容，并满足应用需求。
