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CL31B685KBNC 发布时间 时间:2025/6/20 19:51:42 查看 阅读:3

CL31B685KBNC是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率MOSFET芯片,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效能功率转换的理想选择。

参数

型号:CL31B685KBNC
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):76nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CL31B685KBNC具有低导通电阻特性,有助于降低传导损耗,提高系统效率。同时,其快速的开关速度能够减少开关损耗,从而进一步提升整体效能。此外,该器件具备良好的热稳定性和耐热性能,确保在高功率应用中的可靠性。
  这款MOSFET还支持较高的工作电流,并且具备较强的抗浪涌能力,适用于需要高可靠性和高效能的应用场景。
  其优化的封装设计也使得散热效果更佳,适合长时间运行于高温环境下的应用。

应用

CL31B685KBNC广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动电路
  - 负载开关
  - 过流保护电路
  - 工业自动化控制
  - 消费类电子产品中的电源管理部分

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP15N60C
  AOT290L

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