CL31B685KBNC是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率MOSFET芯片,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其出色的导通电阻和开关性能使其成为高效能功率转换的理想选择。
型号:CL31B685KBNC
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):76nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-252(DPAK)
CL31B685KBNC具有低导通电阻特性,有助于降低传导损耗,提高系统效率。同时,其快速的开关速度能够减少开关损耗,从而进一步提升整体效能。此外,该器件具备良好的热稳定性和耐热性能,确保在高功率应用中的可靠性。
这款MOSFET还支持较高的工作电流,并且具备较强的抗浪涌能力,适用于需要高可靠性和高效能的应用场景。
其优化的封装设计也使得散热效果更佳,适合长时间运行于高温环境下的应用。
CL31B685KBNC广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- 负载开关
- 过流保护电路
- 工业自动化控制
- 消费类电子产品中的电源管理部分
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