IXDD504SIAT/R 时间：2025/8/6 10:55:03 阅读：16

IXDD504SIAT/R 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Integrated Circuits Division）设计和制造的高速、高电流 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器集成电路。该器件专为工业、电源管理和电机控制等应用设计，提供高效、可靠的栅极驱动能力。IXDD504SIAT/R 采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，能够直接驱动高功率的 MOSFET 或 IGBT 器件，同时具备出色的抗干扰能力和工作稳定性。

参数

类型：栅极驱动器
　　驱动器数量：1
　　拓扑结构：高边/低边
　　输入类型：CMOS/TTL
　　输出电流（峰值）：4.0A
　　工作电压（Vcc）：10V 至 20V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-16
　　封装尺寸：150mil
　　驱动能力：高电流、高速
　　传播延迟：典型值为 9ns
　　上升/下降时间：典型值为 2ns/2ns

特性

IXDD504SIAT/R 具备一系列高性能特性和保护机制，以确保在各种高功率开关应用中的可靠运行。其核心特性之一是 4A 的峰值输出电流，使其能够快速驱动高栅极电荷的功率器件，从而显著降低开关损耗。该器件的传播延迟极低，典型值仅为 9ns，且上升和下降时间均为 2ns，非常适合高频开关应用。
　　采用 HVIC 技术，IXDD504SIAT/R 能够承受高达 600V 的电压，适用于高边配置，从而简化了半桥或全桥电路的设计。此外，其输入端兼容 CMOS 和 TTL 电平，使得与各种控制器（如 DSP、MCU 或 FPGA）的接口变得简单。
　　芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作。其高 dv/dt 抗扰度设计确保在恶劣的电气环境中仍能稳定运行，避免误触发。
　　该器件采用 16 引脚 SOIC 封装，符合工业级温度范围（-40°C 至 +125°C），并具有良好的热稳定性。IXDD504SIAT/R 的封装设计也便于 PCB 布局，并支持表面贴装工艺。

应用

IXDD504SIAT/R 主要用于需要高速、高电流驱动能力的功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、焊接设备和工业自动化系统。由于其高 dv/dt 抗扰性和高边驱动能力，该器件特别适用于半桥或全桥拓扑结构中的 IGBT 或 MOSFET 驱动。
　　在电机控制领域，IXDD504SIAT/R 可用于三相逆变器中驱动上下桥臂的功率器件，提供快速响应和低延迟，有助于提高系统效率并减少热损耗。在电源转换应用中，该器件可帮助实现高频开关，从而减小电感和变压器的尺寸，提升整体功率密度。
　　此外，IXDD504SIAT/R 也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。其工业级工作温度范围和抗干扰设计确保在各种严苛环境下的稳定运行。