类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　漏源电压（VDS）：350V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至4.5V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247

IXCY30M35A具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，该器件具有较高的漏源电压（VDS）额定值，达到350V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，连续漏极电流（ID）为30A，表明其能够承载较大的电流，适合用于高功率密度的设计中。该器件的栅极阈值电压范围为2.5V至4.5V，确保在不同驱动条件下均能稳定工作，同时具备良好的开关性能，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
　　IXCY30M35A的漏源导通电阻（RDS(on)）较低，最大值约为0.15Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率，并降低器件的发热。此外，其工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业、通信、电源管理等苛刻环境下的应用。
　　该器件的TO-247封装不仅提供了良好的热管理性能，还具备较高的机械强度和电气绝缘能力，有助于提升系统的可靠性和寿命。TO-247封装广泛用于功率电子领域，便于安装和散热片的连接，从而优化热管理性能。

IXCY30M35A广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要用途包括功率因数校正（PFC）电路，用于提高电源的功率因数，减少对电网的谐波污染。此外，该器件也常用于DC-DC转换器中，作为主开关元件，实现高效能的电压转换，适用于服务器电源、电信设备和工业控制系统等场景。
　　在逆变器系统中，IXCY30M35A可用于将直流电转换为交流电，广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动车驱动系统中。同时，该器件也适用于电机驱动应用，如工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机控制电路，提供高效的功率输出和可靠的运行性能。
　　由于其优异的电气性能和热管理能力，IXCY30M35A也常用于高频率开关应用，如开关电源（SMPS）和LED照明驱动电路中，满足高效、高可靠性的设计需求。

SiHP30N35C3FD, FDP30N35C3, STP30N35C3