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IXCP40M35 发布时间 时间:2025/8/6 0:53:11 查看 阅读:20

IXCP40M35 是一款由 IXYS 公司生产的双路功率晶体管驱动器集成电路,主要用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。该芯片采用了高速CMOS工艺制造,具有高驱动能力和低传输延迟的特点,非常适合用于高性能电源转换系统中,例如开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动以及不间断电源(UPS)等应用。

参数

工作电压:10V 至 30V
  输出峰值电流:±4.0A(典型值)
  传播延迟时间:17ns(典型值)
  上升/下降时间:5ns(典型值,1000pF负载)
  输出高电平电压(Voh):工作电压 - 1.5V(典型值)
  输出低电平电压(Vol):≤0.2V(典型值)
  静态电流:5mA(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-16 和 DIP-16

特性

IXCP40M35 是一款高性能的双通道隔离式MOSFET/IGBT驱动芯片,其主要特点包括高速驱动能力、低传输延迟和宽工作电压范围。该芯片内置两个独立的驱动通道,每个通道均可提供高达±4.0A的峰值电流,足以驱动高功率的MOSFET和IGBT器件。其传播延迟仅为17ns,确保了在高频开关应用中的高效性和稳定性。此外,IXCP40M35 还具备低静态电流特性,在待机模式下功耗极低,适用于对能效要求较高的系统设计。
  该芯片采用了CMOS工艺,具备良好的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境下稳定工作。同时,IXCP40M35 支持高达30V的工作电压,使其能够兼容多种电源拓扑结构。在封装方面,提供了SOIC-16和DIP-16两种封装形式,便于在不同应用场景中使用。
  另外,IXCP40M35 内部集成了互锁保护机制,防止上下桥臂同时导通造成的短路问题,提升了系统的可靠性和安全性。其设计适用于半桥和全桥拓扑结构中的高边和低边驱动应用。

应用

IXCP40M35 主要应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合,如开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化控制系统等。由于其具备高速响应和高驱动电流能力,特别适合用于高频开关和高效率要求的电源系统中。

替代型号

IXCP40M60

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IXCP40M35参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳流/电流管理
  • 系列IXC
  • 功能稳流器
  • 检测方法-
  • 精确度-
  • 输入电压-
  • 电流 - 输出40mA
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件