时间：2025/9/23 19:44:07
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4N45#060 是一款基于光耦技术的半导体器件，属于晶体管输出型光电耦合器（Phototransistor Output Optocoupler）的一种。该器件广泛应用于需要电气隔离的电路中，用于信号传输的同时实现输入与输出之间的电隔离，以防止噪声干扰、电压冲击或接地环路问题。4N45 由一个砷化镓红外发光二极管（IR LED）和一个硅 NPN 光敏晶体管组成，封装在一个六引脚（DIP-6）的黑色环氧树脂封装中。其中，‘4N45’为标准型号，而‘#060’通常表示特定的包装规格、卷带编码或制造商的内部批次/版本标识，可能对应于安华高（Avago）、Broadcom、ON Semiconductor 或其他厂商的生产编号系统。此类器件常用于工业控制、电源反馈回路、微处理器接口隔离以及通信系统中。
该光耦的核心功能是通过光信号实现电信号的跨隔离传输：当输入端的LED通电发光时，光线照射到输出端的光敏晶体管基极区域，从而使其导通并允许电流在集电极与发射极之间流动。由于输入与输出之间没有电气连接，仅通过光进行耦合，因此能够有效阻断高压、噪声和瞬态干扰，提高系统的安全性和稳定性。4N45具有较高的隔离电压能力（一般可达5000 VRMS），适用于多种通用隔离场景。需要注意的是，不同厂家生产的4N45可能存在细微参数差异，使用时应参考具体数据手册中的电气特性与推荐工作条件。
类型：晶体管输出光耦
通道数：1
输入正向电压（VF）：1.7V（典型值）
输入反向电压（VR）：5V
输出集电极电流（IC）：100mA
集射极饱和电压（VCE(sat)）：300mV ~ 800mV（取决于测试条件）
电流传输比（CTR）：20% ~ 600%（随温度和老化变化）
隔离电压（Viso）：5000 VRMS
响应时间：上升时间（tr）约 2μs，下降时间（tf）约 2μs
工作温度范围：-55°C ~ +110°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
封装形式：DIP-6（6引脚双列直插）
4N45光耦具备优异的电气隔离性能和稳定的信号传输能力，其核心特性之一是高隔离电压，通常可达到5000 VRMS，这意味着它可以在输入与输出之间承受高达5000伏特的交流均方根电压，适用于对安全性要求较高的工业设备和电源系统。这种级别的隔离能有效防止高压侧故障影响低压控制电路，保障操作人员和敏感电子元件的安全。此外，该器件采用红外LED与光敏晶体管结构，实现了非接触式信号传递，避免了传统继电器或直接连线带来的电磁干扰和电平不匹配问题。
另一个关键特性是宽泛的工作温度范围，支持从-55°C到+110°C的极端环境运行，使其不仅适用于常规商业产品，也能在恶劣工业环境中可靠工作。同时，其DIP-6封装便于手工焊接和PCB布局，适合原型开发与中小批量应用。电流传输比（CTR）是衡量光耦效率的重要指标，4N45的CTR范围较宽，典型值在20%至600%之间，具体数值受负载条件、输入电流、温度及器件老化程度的影响较大。较高的CTR意味着较小的驱动电流即可获得足够的输出响应，有助于降低功耗和发热。
响应速度方面，4N45的上升和下降时间均约为2微秒，虽不及高速逻辑光耦（如6N137），但对于开关电源反馈、继电器驱动、状态检测等中低速应用场景已足够使用。另外，该器件具备良好的线性度和长期稳定性，在适当设计下可用于模拟信号隔离传输，但需注意CTR的非线性与时漂问题。最后，4N45符合多项国际安全认证标准，如UL、CSA、VDE等，确保其在各类合规性要求严格的产品中可以合法使用。
4N45光耦广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。最常见的用途之一是在开关模式电源（SMPS）中作为反馈元件，连接次级侧的稳压控制电路与初级侧的PWM控制器，实现输出电压的精确调节同时保持高低压域之间的绝缘。在此类应用中，4N45通过将误差信号从次级传回初级，帮助维持输出稳定，并满足安规对隔离距离的要求。
在工业自动化领域，4N45常被用于PLC（可编程逻辑控制器）输入模块中，将现场传感器信号（如接近开关、按钮、限位开关）与内部逻辑电路隔离开来，防止工业现场的高电压、浪涌或接地噪声干扰控制系统。同样地，在电机驱动器、变频器和伺服系统中，它也用于隔离控制信号与功率级电路，提升抗干扰能力和系统可靠性。
此外，4N45还常见于微处理器系统与外部设备之间的接口保护，例如在串行通信线路（如RS-232/RS-485）中用于防止地电位差引起的损坏；在医疗设备中用于患者连接部分与主控单元之间的隔离，确保人身安全；以及在测试测量仪器中隔离敏感采集电路与主处理单元。由于其结构简单、成本低廉且性能可靠，4N45也成为教育实验和嵌入式开发项目中的常用元器件之一，尤其适合初学者理解光耦原理和实践隔离电路设计。
MCT2E
PC817
TLP521-1
EL357
