时间：2025/9/2 7:36:09
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H5TC1G63EFR-PBA 是由SK Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动式低功耗DRAM（LPDRAM）系列，广泛用于需要低功耗和高性能的便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。H5TC1G63EFR-PBA 的设计优化了电源管理和数据传输速率，使其成为移动设备和其他对功耗敏感应用的理想选择。
容量：1Gb（128MB）
组织方式：x16
电源电压：1.8V
时钟频率：166MHz
数据速率：333Mbps
封装类型：FBGA
引脚数量：54-pin
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TC1G63EFR-PBA 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，适用于需要高效能和低能耗的便携设备。其主要特性包括支持低功耗模式（如预充电和自刷新模式），以延长电池寿命。
该芯片采用1.8V电源电压，显著降低了功耗，同时支持333Mbps的数据速率，确保了快速的数据存取能力。此外，H5TC1G63EFR-PBA 采用了FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较小的封装尺寸和较高的引脚密度，适用于高密度电路设计。
其内部存储器架构为x16，意味着每个存储单元的宽度为16位，允许每次访问16位的数据，从而提高数据吞吐量。该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，适合在各种环境条件下运行。
为了提高系统的稳定性，H5TC1G63EFR-PBA 还支持多种功能，如自动刷新和温度补偿刷新。这些特性确保了在不同工作条件下数据的可靠性和完整性。
H5TC1G63EFR-PBA 广泛应用于需要低功耗和高性能的移动设备和嵌入式系统中。例如，它常用于智能手机和平板电脑中的临时数据存储，以支持应用程序的快速运行和数据处理。
此外，该芯片也适用于便携式多媒体设备、工业控制系统、车载电子设备以及物联网（IoT）设备。由于其低功耗特性和紧凑的封装设计，H5TC1G63EFR-PBA 非常适合用于空间受限且对电池寿命有较高要求的应用场景。
在嵌入式系统中，H5TC1G63EFR-PBA 可以作为主存储器或缓存存储器，用于临时存储程序和数据，从而提高系统的响应速度和整体性能。它还支持多种操作系统和处理器架构，使其能够灵活地集成到不同的设计中。
H5PS1G63EFR-S6C
