IXCP20M35A是一款由IXYS公司生产的双路功率MOSFET驱动器集成电路,专为高功率开关应用而设计。该器件集成了两个独立的MOSFET驱动通道,能够高效地驱动高边和低边功率MOSFET或IGBT。IXCP20M35A采用了高压电平转换技术和CMOS工艺制造,具备高抗噪能力和快速响应时间。其典型应用场景包括DC-AC逆变器、电机控制、UPS系统、太阳能逆变器以及各种需要半桥或全桥结构的功率转换系统。
供电电压范围:10V 至 20V
输出峰值电流:±1.6A(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
高边浮动电压:最高可达+600V
传播延迟时间:110ns(典型值)
脉宽失真:<2ns
输入逻辑兼容:TTL/CMOS
封装形式:28引脚SSOP
IXCP20M35A具有多个关键特性,以确保在高功率环境下的稳定性和可靠性。首先,其双通道结构允许独立控制两个MOSFET,适用于半桥、全桥或同步整流拓扑。其次,每个通道都配备了高压电平移位电路,使得高边MOSFET的驱动更加高效和稳定。此外,该芯片采用了CMOS工艺,具有低功耗和高抗干扰能力,适用于复杂的电磁环境。
为了防止直通短路,IXCP20M35A在两个通道之间内置了互锁逻辑,确保上下桥臂不会同时导通。同时,该IC的输入端支持TTL和CMOS电平兼容,简化了与控制器(如微处理器或DSP)的接口设计。其快速的传播延迟(110ns)和极低的脉宽失真(<2ns)确保了精确的开关时序,有助于提高整体系统的效率和稳定性。
该器件还具备欠压锁定保护(UVLO)功能,在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止因供电不足导致的误操作。此外,其高边浮动电压能力可达600V,使其适用于高压功率转换应用,如工业电源和电机驱动系统。
IXCP20M35A广泛应用于各种需要高效功率MOSFET驱动的场合。其主要应用包括工业电机驱动、UPS不间断电源、光伏逆变器、电焊机、感应加热设备、电动车充电系统以及各类DC-AC逆变器。由于其高耐压能力和双通道独立控制特性,它在半桥和全桥拓扑结构中表现尤为出色。在电机控制中,IXCP20M35A能够有效驱动H桥电路,实现正反转和制动功能;在太阳能逆变系统中,它能够提供高可靠性和高效率的MOSFET驱动能力,确保能量转换效率最大化。此外,该器件也适用于各种需要高压浮动驱动的功率电子设备。
IR2110、TC4420、LM5112、IX4426、HIP4080