IXCP10M35A 时间：2025/8/6 12:34:53 阅读：17

IXCP10M35A 是一款由 IXYS 公司制造的双路功率晶体管阵列，内部集成了两个独立的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用高性能的 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高电流能力和出色的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。IXCP10M35A 的封装形式为 TO-220，便于散热和安装，适合用于工业控制、电机驱动、开关电源和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　漏极电流(Id)：35A（每个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值10mΩ
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　配置：双通道（Dual N-Channel）

特性

IXCP10M35A 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，提高系统效率；其双通道设计允许两个独立的功率开关集成在一个封装中，节省电路板空间并简化设计。该器件具有高电流承载能力和良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，IXCP10M35A 具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸。其栅极驱动电压范围宽，兼容标准的10V和15V驱动电路，同时也支持逻辑电平驱动（具体取决于实际型号版本）。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，适用于严苛的工作环境。
　　TO-220 封装具备良好的散热性能，适合用于需要高效散热的功率电路中。IXCP10M35A 采用环保材料制造，符合 RoHS 标准。

应用

IXCP10M35A 主要用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的功率电子系统。常见应用包括：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源管理模块以及工业自动化控制系统。
　　由于其双通道结构，该器件非常适合用于H桥驱动电路，以控制直流电机或步进电机的方向和速度。此外，在电源冗余设计中，IXCP10M35A 可用于实现负载切换和电流分配。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXCP10M35A 也常用于功率开关和同步整流电路，以提高整体能效。其高可靠性和耐久性也使其适用于车载电子系统和不间断电源（UPS）等应用。