频率范围：3.3 GHz - 4.2 GHz
　　输出功率：典型值 50 W（连续波）
　　增益：约 10 dB
　　效率：约 40%
　　工作电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻：约 1.5°C/W
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

ACPM-5201-LC1 的核心优势在于其采用了先进的 GaN-on-SiC 技术，这使得它在高频段下仍能保持优异的功率密度和热稳定性。其高效率特性有助于降低基站设备的能耗，提高整体系统能效。
　　该模块具备良好的线性度和互调失真性能，能够满足 5G 系统中对信号质量的严格要求。同时，ACPM-5201-LC1 集成了内部偏置控制和温度补偿电路，确保在不同环境条件下都能保持稳定的输出性能。
　　此外，该功率放大器模块具有良好的封装设计，便于散热和安装，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。其紧凑的尺寸也使得它非常适合用于空间受限的 5G 小型基站和大规模 MIMO 天线系统中。
　　ACPM-5201-LC1 的热管理和过温保护机制也十分完善，能够在高温环境下自动调节输出功率，避免器件损坏，从而提高系统的可靠性和使用寿命。

ACPM-5201-LC1 主要应用于 5G 基站系统，包括宏基站、小型基站（Small Cells）以及大规模 MIMO 天线系统。由于其高频段工作能力和高线性度，它也非常适用于 5G NR 中的 FR1 和 FR2 频段扩展应用。
　　在无线通信基础设施中，该模块可用于提升基站的发射功率和覆盖范围，增强网络容量和信号质量。此外，ACPM-5201-LC1 还可应用于测试设备、无线回传系统以及工业和军事通信系统中，满足对高功率、高频段放大器的需求。
　　在大规模 MIMO 系统中，由于需要多个天线单元同时工作，ACPM-5201-LC1 的高集成度和紧凑设计使其成为理想的射频前端解决方案。它能够在多频段、多通道环境中提供一致的性能表现，支持 5G 网络的高速率、低时延和大连接特性。

ACPM-5200-LC1, ACPM-5101-LC1, ACPM-5121-LC1