时间：2025/8/6 4:28:35
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IXCP10M35是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件设计用于高频率和高功率应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和照明系统。IXCP10M35属于N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热性能，使其适用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：10A
最大漏源电压（Vds）：350V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（典型值）
功率耗散（Ptot）：70W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
技术：增强型MOSFET
IXCP10M35具有多项优良特性，适合广泛应用于各种功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备较高的击穿电压（350V），能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用。此外，IXCP10M35采用TO-220封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
该器件还具备快速开关特性，适合高频开关应用，减少开关损耗并提高响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担，提高系统效率。此外，IXCP10M35具有较高的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，提高系统的鲁棒性。
IXCP10M35还具有良好的热稳定性，在高温度环境下仍能保持稳定的性能。这种特性使其适用于工业控制、电源管理和电机驱动等对温度要求较高的应用场合。
IXCP10M35广泛应用于多种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机控制电路、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET还可用于逆变器、电池充电器和电源管理模块，提供高效的功率转换和控制能力。
IXFH10N35
IXTP10N35
IRFPG50
STP10NK35Z
FDH3510R06A
