H27UDG8VEMYR-BC是一款由SK hynix公司生产的NAND闪存芯片。这款芯片通常用于高密度数据存储解决方案,例如固态硬盘(SSD)、存储卡以及嵌入式设备。这款NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺,提供较大的存储容量,同时兼顾性能和可靠性,适用于消费类电子产品和工业级应用。
容量:8GB
接口类型:ONFI 2.3
工作电压:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP
存储温度范围:-40°C 至 +85°C
读取速度:最大50MB/s
写入速度:最大20MB/s
擦除时间:块擦除时间约2ms
页面大小:2KB
块大小:128KB
纠错能力:支持ECC(错误校正码)
H27UDG8VEMYR-BC作为一款NAND闪存芯片,具有高存储密度和较长的使用寿命。它支持多层单元(MLC)技术,可以在单个存储单元中存储多个比特的数据,从而提升存储容量并降低单位成本。该芯片具备良好的耐用性,可支持数万次的编程/擦除周期,适合需要频繁写入和读取的应用场景。
此外,H27UDG8VEMYR-BC采用了ONFI(Open NAND Flash Interface)标准接口,简化了与主控芯片的连接和通信。其TSOP封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性,适用于小型化电子设备。该芯片还支持坏块管理功能,可以自动检测和标记不可靠的存储块,以确保数据的完整性。
在可靠性方面,H27UDG8VEMYR-BC具备较强的抗干扰能力和数据保持能力,在极端温度条件下仍能正常工作。这使其适用于各种严苛环境下的应用,例如车载电子、工业控制系统和嵌入式设备。
H27UDG8VEMYR-BC广泛应用于多种需要大容量非易失性存储的设备中。例如,它可以用于固态硬盘(SSD)作为存储介质,为计算机系统提供快速的数据读写能力。在消费电子领域,这款芯片常用于U盘、存储卡以及多媒体播放器等设备。此外,它还可用于工业控制系统、车载导航系统和通信设备,为这些应用提供稳定可靠的存储解决方案。
H27UCG8V5MYR-BC,H27UCG8V5MYB-BC