时间：2025/8/5 14:00:01
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IXCK36N250是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET）芯片，专为高电压和高电流的应用设计。该器件采用了先进的功率MOSFET制造技术，具有出色的开关性能和导通电阻特性。它适用于各种高功率电子设备，如电源供应器、电动机控制器、逆变器和工业自动化系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：36A
漏极-源极击穿电压（VDS）：250V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.065Ω
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功耗（PD）：300W
IXCK36N250具有低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。
该器件的高电流容量和耐压能力使其适用于高功率应用。
采用TO-247封装形式，便于散热并适用于高功率密度的设计。
具有良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣环境下工作。
此外，它还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
其栅极驱动要求简单，易于集成到现有的功率电子系统中。
由于其高性能和可靠性，IXCK36N250广泛用于各种工业和电力电子设备中。
IXCK36N250主要用于需要高功率处理能力的场合，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车辆充电系统和工业电机驱动器。
它也适用于各种开关电源设计，包括DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。
此外，该器件还可用于焊接设备、电磁加热系统和高功率LED照明控制电路。
在汽车电子领域，IXCK36N250可用于电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等应用。
由于其卓越的性能和可靠性，这款MOSFET也常用于自动化生产线和机器人控制系统中的高功率执行机构。
IXFH36N250, IXTP36N250, IRFP460, IRFP260N
