时间：2025/8/5 17:06:47
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IXCH36N250是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高电压和高电流应用中。该器件采用TO-247封装，具有较高的导热性能和耐用性，适用于各种工业和电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：36A（在Tc=25℃）
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：200W
导通电阻(Rds(on))：约0.075Ω
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
IXCH36N250具有较低的导通电阻，使其在高电流条件下具有较低的功率损耗。此外，该器件具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和逆变器。其高耐压能力（250V）和大电流承载能力（36A）使其适用于高压电机控制、电源管理和电池充电系统。该MOSFET采用先进的平面技术，提供优异的热稳定性和可靠性，同时具备低栅极电荷（Qg）特性，有助于提高开关效率。此外，其封装设计提供了良好的热管理和机械强度，适合在恶劣环境中使用。
IXCH36N250的另一个关键特性是其内置的静电放电（ESD）保护，能够承受一定水平的静电冲击，从而提高器件在制造和使用过程中的可靠性。此外，该MOSFET的高雪崩能量耐受能力确保在突发过载条件下仍能保持稳定工作。
该器件广泛应用于各种高功率电子系统，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统和电焊机等。其高耐压和大电流能力使其成为高压DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。此外，IXCH36N250还可用于各种消费类和工业类开关电源（SMPS）中。
IXFH36N250, IRFP460, STW20NK50Z
