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IXBT42N170 发布时间 时间:2025/8/6 5:33:20 查看 阅读:23

IXBT42N170是一款由Infineon Technologies(英飞凌)制造的高电压、高电流双极性晶体管(BJT),属于射频功率晶体管类别,常用于高功率射频放大器和工业应用。该器件采用了先进的硅双极性技术,具备良好的热稳定性和高可靠性,适用于要求高功率输出和高耐压能力的应用场景。

参数

类型:双极性晶体管(BJT)
  结构:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):170V
  最大集电极电流(IC):42A
  最大耗散功率(PD):300W
  增益(hFE):50-200(取决于工作条件)
  截止频率(fT):30MHz
  封装类型:TO-247

特性

IXBT42N170具备出色的功率处理能力和高耐压特性,适用于需要高输出功率和高稳定性的应用场景。该晶体管在设计上优化了热管理和高频响应,确保在高温环境下依然能保持稳定的性能。此外,其高增益特性使得在射频功率放大电路中能够实现高效的信号放大。
  该器件采用TO-247封装形式,具备良好的散热性能,便于安装在散热器上,以提升整体系统的热稳定性。其高可靠性设计使其适用于工业设备、电源系统和射频通信设备等关键应用领域。
  此外,IXBT42N170在工作频率范围内表现出良好的线性度和稳定性,适用于各类功率放大器、开关电源和电机控制电路等应用。其高耐用性和宽工作温度范围使其成为工业自动化、能源管理和通信基础设施中的理想选择。

应用

IXBT42N170广泛应用于高功率射频放大器、工业电源系统、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)以及各种需要高功率处理能力的电子设备中。其高电压和高电流特性使其特别适用于需要高效率和高可靠性的工业自动化和能源管理系统。

替代型号

ST18N170, IXBT44N170, IXGP45N170

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IXBT42N170参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,42A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)80A
  • 功率 - 最大360W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件