时间：2025/8/5 21:50:53
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IXBT20N360HV是一款高压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，由IXYS公司生产。这款MOSFET设计用于高功率密度应用，具有卓越的热性能和耐用性，能够在高压和高电流条件下稳定工作。该器件采用TO-247封装，适用于需要高可靠性和高性能的工业级电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏-源电压：360V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.18Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXBT20N360HV具备低导通电阻特性，有助于减少功率损耗并提高效率。其高压耐受能力和高电流容量使其适用于高功率应用场景。此外，该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。该器件还具有快速开关特性，能够适应高频开关电路的需求，从而提高整体系统效率。此外，IXBT20N360HV内置了过热保护和短路保护功能，提高了系统的可靠性。
在制造工艺方面，IXBT20N360HV采用了先进的硅加工技术，以确保器件在极端条件下的稳定性和耐用性。其栅极驱动设计简化了外部电路需求，使得设计和集成更加便捷。此外，该器件的封装材料和结构也经过优化，以提供良好的机械强度和长期稳定性，适合长时间运行在严苛的工业环境中。
IXBT20N360HV广泛应用于高功率电源系统，例如开关电源（SMPS）、工业电机驱动、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。由于其优异的热性能和可靠的电气特性，该器件也适合用于需要高效率和高稳定性的电机控制和功率转换系统中。此外，IXBT20N360HV还常用于测试设备、自动化控制系统以及各种需要高功率密度的电子设备中。
STP20N360FP, IRFP460LC
