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IXBT14N300HV 发布时间 时间:2025/8/5 16:17:40 查看 阅读:32

IXBT14N300HV 是由 Infineon Technologies 生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 3000V,能够承受高电压环境下的工作条件。

参数

VDS(max):3000V
  ID(max):14A
  RDS(on)(max):1.85Ω
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXBT14N300HV 的核心特性在于其高电压耐受能力和低导通电阻。该器件采用了 Infineon 的沟槽 MOSFET 技术,能够在高电压条件下保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。
  此外,其封装设计提供了良好的热管理能力,能够在高电流条件下保持稳定运行。该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,确保在严苛工作环境下的可靠性。
  为了提高系统的稳定性和安全性,IXBT14N300HV 还具备较高的栅极电荷稳定性,降低了开关损耗,并减少了电磁干扰 (EMI) 的影响。这些特性使得该 MOSFET 在高功率转换器、工业电源、电动汽车充电系统和可再生能源系统中具有广泛的应用潜力。

应用

IXBT14N300HV 主要用于高压功率转换系统,如工业电源、不间断电源 (UPS)、电机驱动器、变频器以及光伏逆变器等。由于其优异的高电压和高电流处理能力,它也常用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率开关电路。
  此外,该器件在高压 DC-DC 转换器和高频开关电源中表现出色,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。其良好的热稳定性和抗干扰能力使其成为工业自动化控制、智能电网和电力基础设施中的理想选择。

替代型号

IXGT14N300HV, IXFN14N300HV

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IXBT14N300HV参数

  • 现有数量12现货
  • 价格1 : ¥390.98000管件
  • 系列BIMOSFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)3000 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)38 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)120 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.7V @ 15V,14A
  • 功率 - 最大值200 W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷62 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值-
  • 测试条件960V,14A,20 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)1.4 μs
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • 供应商器件封装TO-268HV(IXBT)