时间：2025/8/5 16:17:40
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IXBT14N300HV 是由 Infineon Technologies 生产的一款高电压、高电流能力的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 3000V，能够承受高电压环境下的工作条件。
VDS(max)：3000V
ID(max)：14A
RDS(on)(max)：1.85Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
IXBT14N300HV 的核心特性在于其高电压耐受能力和低导通电阻。该器件采用了 Infineon 的沟槽 MOSFET 技术，能够在高电压条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，其封装设计提供了良好的热管理能力，能够在高电流条件下保持稳定运行。该器件还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，确保在严苛工作环境下的可靠性。
为了提高系统的稳定性和安全性，IXBT14N300HV 还具备较高的栅极电荷稳定性，降低了开关损耗，并减少了电磁干扰 (EMI) 的影响。这些特性使得该 MOSFET 在高功率转换器、工业电源、电动汽车充电系统和可再生能源系统中具有广泛的应用潜力。
IXBT14N300HV 主要用于高压功率转换系统，如工业电源、不间断电源 (UPS)、电机驱动器、变频器以及光伏逆变器等。由于其优异的高电压和高电流处理能力，它也常用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率开关电路。
此外，该器件在高压 DC-DC 转换器和高频开关电源中表现出色，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。其良好的热稳定性和抗干扰能力使其成为工业自动化控制、智能电网和电力基础设施中的理想选择。
IXGT14N300HV, IXFN14N300HV
