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IXBF9N160G 发布时间 时间:2023/3/7 15:28:53 查看 阅读:496

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS i4-PAC

   

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: ISOPLUS i4-PAC

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1600 V

    集电极—射极饱和电压: 4.9 V

    栅极/发射极最大电压: 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 7 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C


F资料

厂商
IXYS

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IXBF9N160G参数

  • 标准包装24
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)7V @ 15V,5A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 功率 - 最大70W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳i4-Pac?-5(3 引线)
  • 供应商设备封装ISOPLUS i4-PAC?
  • 包装管件