2SK3929-01MR 时间：2025/8/9 14:28:10 阅读：34

2SK3929-01MR 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于高频开关应用和功率放大电路中。该器件采用小型SOT-343封装，适用于便携式电子设备、射频（RF）模块、DC-DC转换器以及其他低电压高频率应用。该MOSFET具备低导通电阻和高开关速度的特性，适合在需要高效能和紧凑设计的电路中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（最大）
　　漏极截止电流（Idss）：0.1μA（最大）
　　栅极漏电流（Igss）：±100nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-343

特性

2SK3929-01MR MOSFET具有多项设计优势，首先其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗较低，从而提高整体系统效率。其次，该器件具备较高的开关速度，适用于高频应用，例如射频放大器和高速开关电路。此外，其SOT-343封装体积小巧，适合用于空间受限的便携式设备中。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同电压条件下稳定工作。其低功耗特性也使得在电池供电设备中具有良好的应用前景。
　　在热性能方面，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作。同时，2SK3929-01MR的漏极和源极之间的耐压能力较强，能够在一定程度上抵御瞬态电压冲击。此外，该MOSFET的封装设计有助于降低寄生电感，从而进一步提升高频性能。

应用

2SK3929-01MR MOSFET广泛应用于多个电子领域。在射频（RF）领域，它常用于射频开关、低噪声放大器和射频混频器等高频电路中。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和无线耳机，该器件可用于电源管理模块中的DC-DC转换器或负载开关。此外，该MOSFET也适用于传感器接口电路、LED驱动器、低功耗微控制器外设控制以及各种小型电子设备中的开关电路。在通信设备中，该器件可作为信号路径的控制元件，用于实现高速信号切换和隔离。在工业控制和自动化系统中，该器件可用于小型继电器驱动电路或低功率执行器控制。