时间：2025/8/5 22:39:07
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IXBF50N360是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高电压、大电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于该公司功率MOSFET产品线的一部分。该器件设计用于高功率应用，具备高耐压能力、低导通电阻和优异的热性能，适用于工业电机控制、电源转换、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高功率开关电源等领域。IXBF50N360采用TO-264封装形式，便于散热和高电流承载，适合在高电压直流（HVDC）系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：360V
最大连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.13Ω
最大功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
封装形式：TO-264
IXBF50N360具备多项优异特性，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。其最大漏源电压（VDS）可达360V，使其适用于中高压功率转换应用。器件的导通电阻（RDS(on)）仅为0.13Ω，显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。此外，该MOSFET的最大连续漏极电流为50A，能够支持大功率负载的驱动。TO-264封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发过压或负载切换情况下的可靠性。栅极阈值电压（VGS(th)）范围为2V至4V，适合与多种栅极驱动电路兼容，便于系统设计和集成。
此外，IXBF50N360具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器系统。该MOSFET还具有较低的输出电容（COSS）和输入电容（CISS），有助于减少高频操作中的动态损耗，并提高系统响应速度。其热阻（RthJC）较低，确保在高功率操作下芯片的热量能够有效传导到散热器，从而延长器件的使用寿命并提升系统稳定性。
IXBF50N360广泛应用于需要高电压和大电流能力的电力电子设备中。例如，在工业电机驱动器中，该MOSFET可用于构建高效率的H桥电路，实现电机的双向控制。在太阳能逆变器系统中，该器件可用于DC-AC转换电路，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电并网使用。此外，IXBF50N360也适用于电动汽车充电设备、不间断电源（UPS）、高频开关电源（SMPS）和电池管理系统（BMS）等应用场景。由于其优异的导通和开关性能，该器件在需要高能效和紧凑设计的现代电力电子系统中具有较高的应用价值。
IXFB44N360, IRFB4115, FDPF50N360, STP50N360
