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IX6R11S3T/R 发布时间 时间:2025/8/6 4:39:24 查看 阅读:27

IX6R11S3T/R是一款由Littelfuse公司生产的可控硅整流器(SCR),属于功率半导体器件。该器件广泛用于需要高电压和高电流控制的电路中,如电源开关、电机控制和照明调节等应用。这款可控硅的封装形式为TO-220,适合高密度安装,并具备良好的散热性能。

参数

类型:可控硅整流器(SCR)
  最大重复峰值反向电压(VRRM):800V
  最大平均通态电流(IT(AV)):11A
  通态电压(VT):1.7V(最大)
  门极触发电流(IGT):5mA至10mA
  保持电流(IH):10mA至25mA
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装类型:TO-220

特性

IX6R11S3T/R具有高电流处理能力和良好的热稳定性,适用于多种工业控制应用。其高耐压能力使其能够在高压环境下稳定工作。此外,该器件具备较低的通态电压降,有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。它的门极触发灵敏度适中,能够确保在各种工作条件下可靠触发。该可控硅还具备较强的过载和短路保护能力,提高了设备的可靠性和寿命。
  在散热方面,TO-220封装设计使得IX6R11S3T/R可以通过散热片有效散热,适用于高功率密度的设计。同时,其紧凑的尺寸使其适用于空间受限的应用场合。该器件的机械强度高,耐振动和冲击能力强,适合在恶劣工业环境中使用。

应用

IX6R11S3T/R常用于工业电机控制、电焊机、电炉、不间断电源(UPS)、照明控制系统以及家用电器中的功率控制部分。此外,它还可用于电力电子变换器、变频器、软启动器等设备中,以实现对交流电源的有效控制。

替代型号

T1135-800B, BT151-800R, BTA16-800B

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IX6R11S3T/R参数

  • 制造商IXYS
  • 类型High Side/Low Side
  • 上升时间35 ns
  • 下降时间25 ns
  • Supply Voltage - Min10 V
  • 最大功率耗散1250 mW
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装Tube
  • 配置Non-Inverting
  • 最小工作温度- 40 C
  • 激励器数量2
  • 输出端数量2
  • 工厂包装数量1000