IX4427N 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高效率的特性。它通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理等场景。
型号:IX4427N
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压 VDS:60V
最大栅源电压 VGS:±20V
最大连续漏极电流 ID:38A
导通电阻 RDS(on):5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
总功耗 PD:218W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
切换频率:高达 1MHz
IX4427N 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(RDS(on))确保了更高的系统效率,减少了热损耗。
2. 快速开关能力使其适合高频应用,能够降低电磁干扰并优化电路设计。
3. 高雪崩击穿能量增强了器件的耐用性和可靠性。
4. TO-263 封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
5. 它具有强大的短路耐受能力,从而在实际应用中提供更可靠的保护。
6. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。
IX4427N 广泛应用于多种电力电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器的功率处理模块。
5. LED 照明系统的驱动电路。
6. 各种工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N, FDP55N06L