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IX4427N 发布时间 时间:2025/6/22 14:13:06 查看 阅读:5

IX4427N 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和高效率的特性。它通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理等场景。

参数

型号:IX4427N
  类型:N沟道 MOSFET
  封装:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源电压 VDS:60V
  最大栅源电压 VGS:±20V
  最大连续漏极电流 ID:38A
  导通电阻 RDS(on):5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  总功耗 PD:218W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  切换频率:高达 1MHz

特性

IX4427N 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on))确保了更高的系统效率,减少了热损耗。
  2. 快速开关能力使其适合高频应用,能够降低电磁干扰并优化电路设计。
  3. 高雪崩击穿能量增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. TO-263 封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性。
  5. 它具有强大的短路耐受能力,从而在实际应用中提供更可靠的保护。
  6. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。

应用

IX4427N 广泛应用于多种电力电子领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 太阳能逆变器的功率处理模块。
  5. LED 照明系统的驱动电路。
  6. 各种工业自动化设备中的功率控制单元。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L

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IX4427N参数

  • 现有数量813现货2,700Factory
  • 价格1 : ¥9.86000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置低端
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 30V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.8V,2.4V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1.5A,1.5A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)10ns,8ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC