时间：2025/12/29 14:13:06
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HUF76409D3ST是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，同时具备良好的热稳定性。HUF76409D3ST采用DPAK（TO-252）封装形式，便于散热和安装。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 30V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 90A（在25°C环境温度下）
导通电阻(Rds(on)): 2.8mΩ（典型值）
最大功率耗散(Pd): 125W
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: DPAK（TO-252）
HUF76409D3ST具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体系统的能效。其次，该器件具备较高的电流承载能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，HUF76409D3ST采用了先进的沟槽式MOSFET结构，进一步优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。在热管理方面，DPAK封装提供了良好的散热性能，使器件在高功率应用中仍能维持较低的工作温度。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态环境下的可靠性。最后，HUF76409D3ST具备较强的抗静电能力（ESD）和良好的栅极氧化层稳定性，适用于多种恶劣工作环境。
HUF76409D3ST广泛应用于各种高功率和高效率的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器、负载开关电路以及工业自动化设备中的电机驱动模块。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和低发热的场合，例如便携式电源设备和高性能电源供应器。此外，HUF76409D3ST也可用于电源管理单元（PMU）和电源分配系统中，以提高整体系统的稳定性和可靠性。
Si7390DP, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, IPB092N03L G
