型号：IRU1120CP
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　技术类型：Trenchstop
　　沟道类型：N-Channel
　　漏源电压Vds：200 V
　　连续漏极电流Id @ 25°C：13 A
　　脉冲漏极电流Idm：52 A
　　栅源电压Vgs：±20 V
　　导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 10V：85 mΩ
　　导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 4.5V：110 mΩ
　　栅极电荷Qg typ：27 nC
　　输入电容Ciss typ：1260 pF
　　输出电容Coss typ：105 pF
　　反向恢复时间trr max：44 ns
　　工作结温范围：-55°C to 150°C
　　封装/外壳：PG-HSOF-5

IRU1120CP采用了英飞凌独有的Trenchstop沟道MOSFET制造工艺，这项技术通过优化硅片内部结构实现了极低的导通电阻与出色的开关特性之间的良好折衷。器件在200V额定电压下仍能保持85mΩ的低Rds(on)，显著降低了传导损耗，尤其适用于中高压DC-DC变换器和同步整流应用。其低栅极电荷（典型值仅为27nC）意味着驱动功耗更低，有利于提高系统整体效率，特别是在高频开关环境中表现突出。
　　该MOSFET具备优异的热性能，得益于PG-HSOF-5封装的小型化设计与高效的散热路径，能够在有限的空间内实现良好的热量传导。器件的最大工作结温可达150°C，确保在高温环境下依然可靠运行。此外，其较低的输出电容（Coss=105pF）进一步减少了开关过程中的能量损耗，有助于降低温升并提升转换效率。
　　IRU1120CP还具备较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。其快速的反向恢复时间（trr最大为44ns）使其在桥式电路中使用时可减少体二极管的反向恢复电流失配问题，从而降低电磁干扰（EMI）风险，并避免交叉导通现象。这些特性使得该器件不仅适用于常规电源拓扑如降压、升压和半桥结构，也可用于复杂的多相供电系统和电机控制单元。
　　另外，该器件符合工业级和部分汽车级应用要求，具备高可靠性与长期稳定性。其无铅封装设计满足RoHS环保规范，支持现代绿色电子产品的发展趋势。由于采用表面贴装封装，便于自动化生产装配，提升了制造效率和一致性。综合来看，IRU1120CP是一款兼顾性能、效率与可靠性的中压功率MOSFET，特别适合对空间、能效和成本有综合考量的应用场合。

IRU1120CP主要应用于各类中高效率电源转换系统，包括但不限于非隔离型DC-DC降压转换器（Buck Converter）、升压转换器（Boost Converter）以及升降压拓扑结构。其低导通电阻和快速开关特性使其成为服务器电源、通信电源模块和工业电源设备中的关键元件。此外，该器件也广泛用于太阳能逆变器、LED驱动电源和电池充电管理系统中，以实现更高的能量利用率和更小的系统体积。
　　在电机驱动领域，IRU1120CP可用于小型直流电机、步进电机或BLDC电机的H桥驱动电路中，提供高效的功率切换功能。其良好的热管理和抗冲击能力保证了在频繁启停或负载波动情况下的长期稳定运行。同时，由于其封装紧凑，也适用于空间受限的便携式设备电源管理模块，例如移动储能设备、电动工具和无人机电源系统。
　　在汽车电子方面，尽管并非AEC-Q101完全认证型号，但其高耐压和良好温度特性使其可用于车载辅助电源、车灯驱动或车载充电器等非核心安全系统中。此外，该器件还可用于工业自动化控制系统、PLC模块和智能电表等需要长时间稳定工作的设备中，展现出广泛的适用性和强大的环境适应能力。

IRFB1120PBF
　　STP120N20TF
　　SPW20N20C3