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IX2976 发布时间 时间:2025/12/28 21:06:00 查看 阅读:12

IX2976是由IXYS公司生产的一款高性能、双通道、高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片专为驱动功率MOSFET和IGBT设计,适用于高频率和高功率的应用场合。IX2976采用双通道结构,每个通道均具备独立的输入和输出控制,具有高驱动能力、低传输延迟和出色的抗干扰能力。

参数

供电电压:10V至20V
  输出电流:±4.0A(峰值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  传输延迟:典型值35ns
  上升/下降时间:典型值15ns
  输入逻辑电压兼容:3.3V、5V、15V
  封装形式:SOIC-16

特性

IX2976具有高驱动电流能力,使其适用于高功率应用,如电机控制、逆变器和电源转换系统。
  芯片内部集成欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时关闭输出,防止功率器件误动作。
  采用双通道独立设计,允许独立控制两个功率开关器件,适用于半桥、全桥等拓扑结构。
  具备强大的抗负电压能力,允许在输出端承受-5V至+25V的电压,增强器件在高频开关时的稳定性。
  输入端具有施密特触发器功能,提高抗噪性能,确保信号传输的稳定性。
  低传输延迟和上升/下降时间,使其适用于高频开关应用,减少开关损耗,提高系统效率。
  采用SOIC-16封装,便于PCB布局并提高散热性能。

应用

IX2976广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备、电焊机和高频电源系统等场合。
  该芯片特别适用于需要高驱动能力和快速响应的桥式拓扑结构,如半桥和全桥电路。
  由于其良好的抗干扰能力和宽输入电压范围,IX2976也可用于恶劣工业环境下的功率控制应用。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,IX2976也常被用于驱动IGBT模块,提高系统的稳定性和效率。

替代型号

[
   "IX2975",
   "IX2977",
   "IR2110",
   "TC4420",
   "LM5114"
  ]

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