时间：2025/5/24 19:58:10
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FV43X224K631EGG 是一款高性能的存储芯片，属于 FRAM（铁电随机存取存储器）系列。该芯片以其卓越的非易失性和高速写入性能而著称。FRAM 技术结合了 SRAM 的速度和闪存的非易失性，使其在需要频繁数据写入和断电后数据保存的应用中表现出色。
该型号特别适用于工业、汽车和消费类电子产品领域，提供高可靠性和低功耗特性。
容量：256Kb
接口类型：I2C
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：超过10年
擦写耐久性：高达10^12次
封装形式：SOP-8
I2C 最大时钟频率：400kHz
FV43X224K631EGG 具有以下显著特点：
1. 非易失性存储能力，在断电后能够保留数据，无需额外电池供电。
2. 超高的读写耐久性，可支持数十万亿次擦写循环，远超传统 EEPROM 和闪存。
3. 快速写入速度，不需要写前擦除操作，大幅提升了数据处理效率。
4. 低功耗设计，尤其在待机模式下几乎无电流消耗，非常适合电池供电设备。
5. 宽工作电压范围，适应不同电源环境下的使用需求。
6. 提供多种通信协议支持，简化与微控制器的连接和编程过程。
7. 小型化封装，便于集成到紧凑型电路板设计中。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化中的数据记录和配置存储，例如 PLC 和传感器模块。
2. 汽车电子系统，如事件数据记录仪（EDR）和导航模块。
3. 医疗设备中的实时数据采集和存储，包括便携式健康监测设备。
4. 消费类电子产品，例如智能手表和物联网设备，用于存储用户设置或历史数据。
5. 计量表计中的能耗数据记录功能，确保数据完整性和可靠性。
MB85RC256V-MNE
FM25L256B-GJE-T
CAT24C256-AWI-T
