FV43X224K631EGG 是一款高性能的存储芯片,属于 FRAM(铁电随机存取存储器)系列。该芯片以其卓越的非易失性和高速写入性能而著称。FRAM 技术结合了 SRAM 的速度和闪存的非易失性,使其在需要频繁数据写入和断电后数据保存的应用中表现出色。
该型号特别适用于工业、汽车和消费类电子产品领域,提供高可靠性和低功耗特性。
容量:256Kb
接口类型:I2C
工作电压:1.8V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保持时间:超过10年
擦写耐久性:高达10^12次
封装形式:SOP-8
I2C 最大时钟频率:400kHz
FV43X224K631EGG 具有以下显著特点:
1. 非易失性存储能力,在断电后能够保留数据,无需额外电池供电。
2. 超高的读写耐久性,可支持数十万亿次擦写循环,远超传统 EEPROM 和闪存。
3. 快速写入速度,不需要写前擦除操作,大幅提升了数据处理效率。
4. 低功耗设计,尤其在待机模式下几乎无电流消耗,非常适合电池供电设备。
5. 宽工作电压范围,适应不同电源环境下的使用需求。
6. 提供多种通信协议支持,简化与微控制器的连接和编程过程。
7. 小型化封装,便于集成到紧凑型电路板设计中。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化中的数据记录和配置存储,例如 PLC 和传感器模块。
2. 汽车电子系统,如事件数据记录仪(EDR)和导航模块。
3. 医疗设备中的实时数据采集和存储,包括便携式健康监测设备。
4. 消费类电子产品,例如智能手表和物联网设备,用于存储用户设置或历史数据。
5. 计量表计中的能耗数据记录功能,确保数据完整性和可靠性。
MB85RC256V-MNE
FM25L256B-GJE-T
CAT24C256-AWI-T