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IX2377 发布时间 时间:2025/8/28 6:06:07 查看 阅读:12

IX2377 是一颗由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的高压工艺制造,具备优异的导通性能和开关特性,适用于高效能、高频率的 DC-DC 转换器、同步整流器以及电池管理系统等应用场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):4.8A
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):22mΩ @ VGS=10V
  导通阈值电压(VGS(th)):1.1V ~ 2.5V
  输入电容(Ciss):540pF
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

IX2377 MOSFET 在功率管理应用中表现出色,具有多项优异特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适合高负载电流的工作环境。其次,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关过程中的能量损耗,适用于高频开关应用。
  此外,IX2377 采用先进的封装技术,具备良好的热稳定性与散热能力,可在较高功率密度下稳定运行。其宽范围的栅极电压承受能力(±20V)增强了驱动电路设计的灵活性,并提高了抗干扰能力。
  该 MOSFET 还具备出色的雪崩能量耐受能力,能够在突发高压或瞬态条件下保持稳定运行,提升了系统的可靠性和耐久性。同时,其较低的阈值电压(VGS(th))使得在低压控制系统中也能实现良好的导通控制,适用于如电池供电设备、便携式电子产品等应用场景。

应用

IX2377 常用于各种功率转换和管理电路中,包括但不限于:同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电与管理系统、电源分配系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高效率电源模块等。其优异的性能使其成为高性能电源设计中的理想选择。

替代型号

Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS6680, AOD4144

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