时间：2025/6/3 19:11:53
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SE7VFBN102 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和低损耗的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于电源管理、电机驱动以及各类功率转换电路中。其封装形式通常为小型表面贴装器件（SMD），便于在紧凑型设计中使用。
SE7VFBN102 的设计目标是满足消费电子、工业设备及汽车电子等领域对高效能功率器件的需求，同时提供出色的可靠性和稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
总功耗：35W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK56
SE7VFBN102 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 24A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，特别适合高频应用。
4. 宽工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，适用于紧凑型布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 SE7VFBN102 成为现代电力电子设计中的理想选择。
SE7VFBN102 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电池管理系统（BMS），用于保护和优化电池性能。
3. 电机驱动电路，特别是在无刷直流电机（BLDC）控制中。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统，如车载充电器和 LED 照明驱动。
6. 各类负载开关和保护电路。
由于其卓越的性能和可靠性，SE7VFBN102 在多种功率处理场景下表现出色。
IRLZ44N, AO3400A, FDN337N
