封装类型：14引脚 SOIC
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流：±4.0A 峰值电流
　　驱动能力：高边和低边均支持独立驱动
　　传播延迟：典型值 170ns
　　上升/下降时间：典型值 15ns / 10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　高压侧浮动电压：最高可达 +600V
　　输入逻辑电平兼容：3.3V、5V 和 15V

IX2200-B31 的主要特性之一是其双通道独立驱动能力，适用于半桥结构或同步整流拓扑。该芯片集成了高压侧浮动自举电路，可有效简化高边功率器件的驱动设计。
　　其输入端兼容多种逻辑电平，包括 3.3V、5V 和 15V 控制信号，方便与 DSP、FPGA 或微控制器连接。输出级具备高达 ±4A 的峰值电流驱动能力，能够快速驱动大功率 MOSFET 或 IGBT，减少开关损耗。
　　该器件内置欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止功率器件误动作。同时具备高抗噪能力和共模瞬态免疫性（CMTI），适合在高电磁干扰环境中使用。
　　IX2200-B31 采用 14 引脚 SOIC 封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型功率转换系统设计。

IX2200-B31 常用于各种高功率电子系统中，如工业电源、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）、电动汽车充电器以及各种类型的 DC-AC 和 DC-DC 功率变换器。
　　在电机控制应用中，它被广泛用于驱动 MOSFET 构成的三相逆变桥，以实现高效、精确的电机调速和控制。在开关电源设计中，常用于同步整流和高效率功率因数校正（PFC）电路中的功率开关驱动。
　　此外，该芯片还适用于需要高边浮动驱动的拓扑结构，如 LLC 谐振转换器、ZVS 和 ZCS 软开关变换器等。其高耐压能力和高驱动性能也使其成为电动汽车和新能源系统中功率转换模块的理想选择。

IR2110, TC4420, LM5112, UCC27532, FAN7380