IX2170是由IXYS公司推出的一款高性能、双通道、高速MOSFET和IGBT驱动芯片。该芯片广泛应用于电源转换、电机控制、逆变器和各种高功率电子系统中。IX2170采用半桥结构设计,能够提供高驱动能力和快速响应时间,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
型号:IX2170
封装类型:SOIC-16
电源电压范围:10V 至 20V
最大输出电流:±4A(典型值)
输入逻辑电压兼容:3.3V、5V、15V
传播延迟时间:约9ns(典型值)
上升/下降时间:约5ns
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大工作频率:1MHz
隔离耐压:1200V(H桥应用)
输出驱动能力:高端和低端独立驱动
欠压锁定(UVLO)保护功能
内置死区时间控制
输出端可承受最大瞬态电压:600V
IX2170具有高性能的双通道MOSFET/IGBT驱动能力,能够同时驱动高边和低边开关器件,适用于半桥拓扑结构。该芯片内置的欠压锁定(UVLO)功能可有效防止在电源电压不足时误触发,确保系统运行的稳定性。
此外,IX2170具备高速开关特性,其传播延迟时间仅为9ns左右,上升和下降时间约为5ns,支持高达1MHz的工作频率,非常适合高频开关应用。
芯片的输入端兼容多种逻辑电平(包括3.3V、5V和15V),便于与各种微控制器和数字控制器连接。输出驱动能力高达±4A,能够有效驱动大功率MOSFET和IGBT,降低开关损耗并提高系统效率。
为了增强系统可靠性,IX2170采用了高侧浮动电源设计,支持高达600V的瞬态电压承受能力,并内置死区时间控制机制,防止上下桥臂同时导通造成的短路风险。
该芯片的封装为16引脚SOIC,具备良好的热性能和电气隔离能力,适用于工业环境下的高可靠性要求。
IX2170广泛应用于各类高功率电力电子系统中,如DC-AC逆变器、DC-DC变换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。其高速驱动能力和高电压隔离特性使其成为工业电机控制和功率转换设备的理想选择。
在电机控制领域,IX2170常用于驱动三相逆变桥中的MOSFET或IGBT,实现高效、精确的PWM控制。在太阳能逆变器中,IX2170可以有效提高系统的转换效率,并增强系统的稳定性和可靠性。
由于其优异的性能,IX2170也常用于高频开关电源、电焊机、感应加热设备等对开关速度和可靠性有较高要求的应用场景。
IR2170, IX2170N, IX2170M, IX2170PBF